MOS Tranzistor z učinkom polja BSS84LT1G SOT23 P-kanalni tranzistor

MOS Tranzistor z učinkom polja BSS84LT1G SOT23 P-kanalni tranzistor

Model: BSS84LT1G
Blagovna znamka: ON Semiconductor
Zaloga: 1741 kosov
MOQ: 2 kos
Dobavni rok: 3 dni
Pošlji povpraševanje
Klepetaj zdaj
Opis

MOS poljski tranzistor BSS84LT1G SOT23 P-kanalni tranzistor

Številka modelaBSS84LT1G
Trenutno -130mA (Ta)
Vgs(th) (maks.)2V @ 250µA
Gate Charge-
Vhodna kapacitivnost30pF pri 5V
Odtok v vir50V
Funkcija FET-
Disipacija moči225 mW (Ta)
Rds vklopljen (maks.)10 ohmov pri 100 mA, 5 V
Druga imena

BSS84LT1GOSTR


MOS poljski tranzistor BSS84LT1G SOT23 P-kanalni tranzistor

Priljubljena oznake: mos poljski tranzistor bss84lt1g sot23 p-kanalni tranzistor, Kitajska, dobavitelji, veleprodaja, nakup, poceni, popust, nizka cena, na zalogi

Pošlji povpraševanje